TC74VHC4040FT(EL,M) พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TC74VHC4040FT(EL,M) เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TC74VHC4040FT(EL,M) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TC74VHC4040FT(EL,M) ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TC74VHC4040FT(EL,M)
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TC74VHC4040FT(EL,M)
- ลักษณะ:
- IC COUNTER BIN 12 STAGE 16-TSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56831 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TC74VHC4040FT(EL,M).pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2V ~ 5.5V |
| ทริกเกอร์ประเภท: | Negative Edge |
| การจับเวลา: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-TSSOP |
| ชุด: | TC74VHC |
| รีเซ็ต: | Asynchronous |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ชื่ออื่น: | 74VHC4040FT(ELM)CT 74VHC4040FT(ELM)CT-ND TC74VHC4040FT(ELM)CT TC74VHC4040FTMCT TC74VHC4040FTMCT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 1 |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | 12 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทตรรกะ: | Binary Counter |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ทิศทาง: | Up |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Counter IC Binary Counter 1 Element 12 Bit Negative Edge 16-TSSOP |
| นับอัตรา: | 125MHz |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 74VHC4040 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TC74VHC4040FT(EL,M)
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่