TC74VHC126FTEL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TC74VHC126FTEL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TC74VHC126FTEL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TC74VHC126FTEL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TC74VHC126FTEL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TC74VHC126FTEL
- ลักษณะ:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48798 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TC74VHC126FTEL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 14-TSSOP |
| ชุด: | TC74VHC |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ประเภทขาออก: | 3-State |
| ชื่ออื่น: | 74VHC126FT 74VHC126FT(BE) 74VHC126FT(EL) 74VHC126FT(EL)TR 74VHC126FT(EL)TR-ND 74VHC126FTTR 74VHC126FTTR-ND TC74VHC126FT(EL) TC74VHC126FT(EL)TR TC74VHC126FT(EL)TR-ND TC74VHC126FT-EL TC74VHC126FTELTR TC74VHC126FTTR TC74VHC126FTTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 4 |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทตรรกะ: | Buffer, Non-Inverting |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Buffer, Non-Inverting 4 Element 1 Bit per Element 3-State Output 14-TSSOP |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 8mA, 8mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 74VHC126 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TC74VHC126FTEL
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ