T9AS1D14-24 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ T9AS1D14-24 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ T9AS1D14-24 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ T9AS1D14-24 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
T9AS1D14-24
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- T9AS1D14-24
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 24V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ไม่สามารถใช้งานได้ / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29301 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- T9AS1D14-24.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 18 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 2.4 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 277VAC - Max |
| ชุด: | T9A |
| เวลาปล่อย: | 15ms |
| ประเภท Relay: | General Purpose |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| ชื่ออื่น: | 6-1423091-3 PB2739 T9AS1D14-24-ND T9AS1D1424 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 85°C |
| เวลาทำงาน: | 15ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 25 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Not applicable / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 30A |
| วัสดุของ: | Silver Tin Oxide Indium Oxide (AgSnOInO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | SPST-NO (1 Form A) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 24VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 576 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 1 W |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 41.7mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ T9AS1D14-24
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด