STS1HNK60 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ STS1HNK60 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ STS1HNK60 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STS1HNK60 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
STS1HNK60
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- STS1HNK60
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39578 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- STS1HNK60.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
| ชุด: | SuperMESH™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | 497-3530-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 156pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 300mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ STS1HNK60
ข่าว Latest
- การออกแบบที่ครอบคลุมของ ARM ช่วยให้การพัฒนาระบบนิเวศวิทยาของ ARM Architecture และสร้างศูนย์ข้อมูล AI ที่ยั่งยืน
- รายได้ของ TSMC เพิ่มขึ้นเกือบ 40 % ปี -ปี
- ตัวเก็บประจุ: Electronic World Energy Guardian
- รางวัลโนเบลในสนามของ AI ต้อนรับ ICS ในฤดูท่องเที่ยว
- เปิดตัวตัวต้านทาน
- Vishay Official ประกาศการปรับโครงสร้างองค์กร Micron Nand Flash Memory Revenue Innovated High
- การเปิดรับเทคโนโลยี Gan 300 มม. แรกของโลก!
- ชิปยักษ์ NXP ลงทุนกว่า 1 พันล้านดอลลาร์ในอินเดีย
- Intel Wafer Foundry ถูกบล็อก 3nm ถูกส่งไปยัง TSMC อย่างเต็มที่!
- MathWorks ประกาศเปิดตัว Matlab และ Simulink เวอร์ชัน 2024B เวอร์ชัน
- การเพิ่มขึ้นของหน่วยความจำแฟลชถูกขัดขวางและการจัดส่ง TSMC 3 -Nanometer จะต้อนรับจุดสูงสุด
- Longxin CPU Architecture เข้าสู่ชิปที่สามเป็นครั้งแรกรองรับแบนด์วิดธ์แลกเปลี่ยน 28Gbps