STM32F417IGH6W พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ STM32F417IGH6W เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ STM32F417IGH6W ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STM32F417IGH6W ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
STM32F417IGH6W
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- STM32F417IGH6W
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- UFBGA 10X10X0.6 176+
- ปริมาณสต็อค:
- 36482 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- STM32F417IGH6W.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 176+25UFBGA (10x10) |
| ความเร็ว: | 168MHz |
| ชุด: | STM32F4 |
| RAM ขนาด: | 192K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 1MB (1M x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LCD, POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 201-UFBGA |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 140 |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | ARM® Cortex®-M4 STM32F4 Microcontroller IC 32-Bit 168MHz 1MB (1M x 8) FLASH 176+25UFBGA (10x10) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 24x12b, D/A 2x12b |
| ขนาดหลัก: | 32-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | ARM® Cortex®-M4 |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, DCMI, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ STM32F417IGH6W
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS