STGW40H65DFB-4 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ STGW40H65DFB-4 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ STGW40H65DFB-4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STGW40H65DFB-4 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
STGW40H65DFB-4
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- STGW40H65DFB-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- IGBT
- ปริมาณสต็อค:
- 33135 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- STGW40H65DFB-4.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2V @ 15V, 40A |
| ทดสอบสภาพ: | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 40ns/142ns |
| การสลับพลังงาน: | 200µJ (on), 410µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247-4L |
| ชุด: | HB |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 62ns |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 283W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-4 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 42 Weeks |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | Trench Field Stop |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 210nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247-4L |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 160A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 80A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ STGW40H65DFB-4
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น