STA457C พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ STA457C เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ STA457C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STA457C ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
STA457C
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- STA457C
- ผู้ผลิต:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- ลักษณะ:
- TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปลอดสารตะกั่วโดยการยกเว้น / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 27122 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- STA457C.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 4mA, 2A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-SIP |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 4W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-SIP |
| ชื่ออื่น: | STA457C DK |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 36 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 60V 4A 4W Through Hole 10-SIP |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 2000 @ 2A, 4V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 100µA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 4A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ STA457C
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS