SN74F11N พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SN74F11N เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SN74F11N ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SN74F11N ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SN74F11N
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SN74F11N
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC GATE AND 3CH 3-INP 14DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42790 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SN74F11N.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 14-PDIP |
| ชุด: | 74F |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ชื่ออื่น: | 296-3547-5 SN74F11NE4 SN74F11NE4-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 3 |
| จำนวนแผงวงจร: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL: | 5.6ns @ 5V, 50pF |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| ประเภทตรรกะ: | AND Gate |
| ระดับตรรกะ - ต่ำ: | 0.8V |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 2V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | AND Gate IC 3 Channel 14-PDIP |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 1mA, 20mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 74F11 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SN74F11N
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC