SN74AUP3G14YFPR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SN74AUP3G14YFPR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SN74AUP3G14YFPR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SN74AUP3G14YFPR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SN74AUP3G14YFPR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SN74AUP3G14YFPR
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC INVERTER SCHMITT 3CH 8DSBGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29340 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SN74AUP3G14YFPR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-DSBGA (1.6x0.8) |
| ชุด: | 74AUP |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-XFBGA, DSBGA |
| ชื่ออื่น: | 296-25211-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 3 |
| จำนวนแผงวงจร: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL: | 6.2ns @ 3.3V, 30pF |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| ประเภทตรรกะ: | Inverter |
| ระดับตรรกะ - ต่ำ: | 0.1 V ~ 0.88 V |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 0.6 V ~ 2.29 V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Schmitt Trigger |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Inverter IC 3 Channel Schmitt Trigger 8-DSBGA (1.6x0.8) |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 500nA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 4mA, 4mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 74AUP3G14 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SN74AUP3G14YFPR
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่