SMQ250VS152M35X40T2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SMQ250VS152M35X40T2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SMQ250VS152M35X40T2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SMQ250VS152M35X40T2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SMQ250VS152M35X40T2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SMQ250VS152M35X40T2
- ผู้ผลิต:
- Nippon Chemi-Con
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 1500UF 20% 250V SNAP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47544 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SMQ250VS152M35X40T2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 250V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| ชุด: | SMQ |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 4.04A @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 6.06A @ 50kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can - Snap-In |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 2000 Hrs @ 85°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.394" (10.00mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 1.575" (40.00mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 166 mOhm @ 120Hz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1500µF 250V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 166 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| ปริมาตร: | 1500µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SMQ250VS152M35X40T2
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด