SM28B1101 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SM28B1101 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SM28B1101 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SM28B1101 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SM28B1101
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SM28B1101
- ผู้ผลิต:
- Leader Tech Inc.
- ลักษณะ:
- FERRITE 133OHM HINGED 22.9X1.5MM
- ปริมาณสต็อค:
- 46361 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SM28B1101.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Flat |
| ชุด: | - |
| ความนิยม: | - |
| มิติด้านนอก: | 1.102" W x 0.335" H (28.00mm x 8.50mm) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Free Hanging |
| วัสดุ: | 28 |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| ความยาว: | 0.579" (14.70mm) |
| มิติข้อมูลภายใน: | 0.902" W x 0.059" H (22.90mm x 1.50mm) |
| ความต้านทาน @ ความถี่: | 133 Ohm @ 100MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Hinged (Snap On) Free Hanging Ferrite Core 133 Ohm @ 100MHz ID 0.902" W x 0.059" H (22.90mm x 1.50mm) OD 1.102" W x 0.335" H (28.00mm x 8.50mm) Length 0.579" (14.70mm) |
| ออกแบบ: | Hinged (Snap On) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SM28B1101
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย