SM108034007FE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SM108034007FE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SM108034007FE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SM108034007FE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SM108034007FE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SM108034007FE
- ผู้ผลิต:
- Ohmite
- ลักษณะ:
- RES 4G OHM 2.5W 1% RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38075 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SM108034007FE.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 2.080" L x 0.100" W (52.83mm x 2.54mm) |
| ชุด: | Slim-Mox |
| โหมดแผง: | 4 GOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 2.5W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| ชื่ออื่น: | SM108034007FE-ND SM108FE-4000M |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 110°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.340" (8.64mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Non-Inductive |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 4 GOhms ±1% 2.5W Through Hole Resistor Radial Non-Inductive Thick Film |
| ส่วนประกอบ: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SM108034007FE
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SM108035005FE | Ohmite | RES 50M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108035003FE | Ohmite | RES 500K OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
SM15-100RX | Riedon | RES 100 OHM 0.175W 0.01% AXIAL | การสอบสวน |
|
SM108035006FE | Ohmite | RES 500M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108033006FE | Ohmite | RES 300M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108034004FE | Ohmite | RES 4M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108034005FE | Ohmite | RES 40M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108035007FE | Ohmite | RES 5G OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
SM15-100RB | Riedon | RES 100 OHM 0.175W 0.1% AXIAL | การสอบสวน |
|
SM108034006FE | Ohmite | RES 400M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
SM11 | Agastat Relays / TE Connectivity | RELAY SOCKET 11 POS DIN RAIL | การสอบสวน |
 |
SM15-100KB | Riedon | RES 100K OHM 0.175W 0.1% AXIAL | การสอบสวน |
|
SM108034003FE | Ohmite | RES 400K OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108035004FE | Ohmite | RES 5M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108032007FE | Ohmite | RES 2G OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108033004FE | Ohmite | RES 3M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108033007FE | Ohmite | RES 3G OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108033003FE | Ohmite | RES 300K OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
SM108033005FE | Ohmite | RES 30M OHM 2.5W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
SM15-100KX | Riedon | RES 100K OHM 0.175W 0.01% AXIAL | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย