SIT8924AM-12-25E-48.000000D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SIT8924AM-12-25E-48.000000D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SIT8924AM-12-25E-48.000000D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SIT8924AM-12-25E-48.000000D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SIT8924AM-12-25E-48.000000D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SIT8924AM-12-25E-48.000000D
- ผู้ผลิต:
- SiTime
- ลักษณะ:
- OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53361 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SIT8924AM-12-25E-48.000000D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MEMS (Silicon) |
| ขนาด / มิติ: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| สไตล์เชลล์: | 2.5V |
| ชุด: | SiT8924 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | AEC-Q100 |
| โพลาไรซ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | Enable/Disable |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SIT8924AM-12-25E-48.000000D |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.031" (0.80mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±25ppm |
| ความถี่ - ออกที่ 1: | - |
| ความถี่: | 48MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V 4.8mA Enable/Disable |
| ลักษณะ: | OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | LVCMOS |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | 4.8mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SIT8924AM-12-25E-48.000000D
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU