SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000
- ผู้ผลิต:
- SiTime
- ลักษณะ:
- OSC PROGRAMMABLE 2520
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38503 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V |
| ชนิด: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum แบนด์วิดธ์: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| ชุด: | SiT8209 |
| ความนิยม: | - |
| ตั้งโปรแกรมประเภท: | Blank (User Must Program) |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | LVCMOS |
| ชื่ออื่น: | 1473-1015 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C, -20°C ~ -40°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง: | 0.031" (0.79mm) |
| ฟังก์ชัน: | Enable/Disable, Standby |
| ความเสถียรของความถี่ (รวม): | - |
| ความเสถียรของความถี่: | ±20ppm |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | XO (Standard) LVCMOS 80MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V Enable/Disable, Standby 4-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 36mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | 70µA |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | MEMS |
| ช่วงความถี่: | 80MHz ~ 220MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SIT8209AI-G1-XXX-000.FP0000
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS