SG5032CAN 4.096000M-TJGA3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SG5032CAN 4.096000M-TJGA3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SG5032CAN 4.096000M-TJGA3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SG5032CAN 4.096000M-TJGA3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SG5032CAN 4.096000M-TJGA3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SG5032CAN 4.096000M-TJGA3
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- OSC XO 4.096MHZ CMOS SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48378 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.6 V ~ 3.6 V |
| ชนิด: | XO (Standard) |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| ชุด: | SG5032CAN |
| สถานะ RoHS: | RoHS Compliant |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | CMOS |
| ชื่ออื่น: | SG5032CAN 4.096000M-TJGA3-ND SG5032CAN4.096000M-TJGA3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.051" (1.30mm) |
| ฟังก์ชัน: | Standby (Power Down) |
| ความเสถียรของความถี่: | ±50ppm |
| ความถี่: | 4.096MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 4.096MHz XO (Standard) CMOS Oscillator 1.6 V ~ 3.6 V Standby (Power Down) 4-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 30mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | - |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | Crystal |
| ช่วงดึงสัมบูรณ์ (APR): | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SG5032CAN 4.096000M-TJGA3
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU