SET100311 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SET100311 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SET100311 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SET100311 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SET100311
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SET100311
- ผู้ผลิต:
- Semtech
- ลักษณะ:
- ASSY RECT 150V 45A SFAST REC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52989 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SET100311.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.1V @ 54A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 150V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 30ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | - |
| การกำหนดค่าไดโอด: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Array 150V 45A Chassis, Stud Mount Module |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 60µA @ 150V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 45A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SET100311
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SET111403 | Semtech | DIODE GEN PURP 1KV 45A MODULE | การสอบสวน |
|
SET100111 | Semtech | ASSY RECT 150V 45A SFAST REC | การสอบสวน |
|
SET121203 | Semtech | DIODE GEN PURP 1KV 30A MODULE | การสอบสวน |
|
SET111424 | Semtech | BRIDGE RECT 30A 600V SFAST REC | การสอบสวน |
|
SET100211 | Semtech | ASSY RECT 150V 45A SFAST REC | การสอบสวน |
|
SET100204 | Semtech | ASSY RECT 400V 45A FAST REC | การสอบสวน |
|
SET100219 | Semtech | ASSY RECT 1KV 30A FAST REC | การสอบสวน |
|
SET100312 | Semtech | ASSY RECT 600V 45A STD REC | การสอบสวน |
|
SET100304 | Semtech | ASSY RECT 400V 45A FAST REC | การสอบสวน |
|
SET121204 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 400V 30A MODULE | การสอบสวน |
|
SET121211 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 30A MODULE | การสอบสวน |
|
SET100212 | Semtech | ASSY RECT 600V 45A STD REC | การสอบสวน |
|
SET100303 | Semtech | ASSY RECT 1KV 45A STD REC | การสอบสวน |
|
SET111404 | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 45A MODULE | การสอบสวน |
|
SET111412 | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 45A MODULE | การสอบสวน |
|
SET100203 | Semtech | ASSY RECT 1KV 45A STD REC | การสอบสวน |
|
SET111411 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 45A MODULE | การสอบสวน |
|
SET100123 | Semtech | ASSY RECT 500V 30A SFAST REC | การสอบสวน |
|
SET111423 | Semtech | DIODE BRIDGE RECT 500V 30A | การสอบสวน |
|
SET100112 | Semtech | ASSY RECT 600V 45A STD REC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย