SDTC144EET1G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SDTC144EET1G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SDTC144EET1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SDTC144EET1G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SDTC144EET1G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SDTC144EET1G
- ลักษณะ:
- TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 21643 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SDTC144EET1G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SC-75, SOT-416 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 50V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม): | 47k |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 200mW |
| โพลาไรซ์: | SC-75, SOT-416 |
| เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F): | 47k |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SDTC144EET1G |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 80 @ 5mA, 10V |
| ขยายคำอธิบาย: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 |
| ลักษณะ: | TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 500nA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | NPN - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SDTC144EET1G
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด