SBRT4U60LP-7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SBRT4U60LP-7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SBRT4U60LP-7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SBRT4U60LP-7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SBRT4U60LP-7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SBRT4U60LP-7
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 22204 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SBRT4U60LP-7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 520mV @ 4A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 60V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | U-DFN3030-8 |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerUDFN |
| ชื่ออื่น: | SBRT4U60LP-7DICT |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Super Barrier |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Super Barrier 60V 4A Surface Mount U-DFN3030-8 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 150µA @ 60V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 4A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 180pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SBRT4U60LP-7
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร