S6BP401AW0SN1B000 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S6BP401AW0SN1B000 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S6BP401AW0SN1B000 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S6BP401AW0SN1B000 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S6BP401AW0SN1B000
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S6BP401AW0SN1B000
- ผู้ผลิต:
- Cypress Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC REG 6OUT BUCK/LDO 40QFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39159 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S6BP401AW0SN1B000.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| w / หัวหน้างาน: | No |
| w / ซีเควน: | No |
| w / LED ไดร์เวอร์: | No |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออกที่ 3: | 1.8V, 2A |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออก 2: | 1.1V, 3A |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออกที่ 1: | 1.5V, 2A |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.97 V ~ 5.5 V |
| โทโพโลยี: | Step-Down (Buck) Synchronous (4), Linear (LDO) (2) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนขาออก: | 6 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การสลับ: | 2.1MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 6 Output Step-Down (Buck) Synchronous (4), Linear (LDO) (2) 2.1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S6BP401AW0SN1B000
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น