S4KW12C-6P พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S4KW12C-6P เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S4KW12C-6P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S4KW12C-6P ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S4KW12C-6P
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S4KW12C-6P
- ผู้ผลิต:
- Semtech
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 49941 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S4KW12C-6P.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 12V @ 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 12000V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 2µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 12000V 12A Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 4µA @ 12000V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 12A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S4KW12C-6P
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
S4KW6C-3N | Semtech | RECT ASSY -CT 12A 6KV STD | การสอบสวน |
|
S4KW16KA-4 | Semtech | DIODE GEN PURP 16KV 6A MODULE | การสอบสวน |
|
S4KW4C-2N | Semtech | RECT ASSY -CT 12A 4KV STD | การสอบสวน |
|
S4KW4KA-1 | Semtech | DIODE GEN PURP 4KV 8A MODULE | การสอบสวน |
|
S4KW2C-1N | Semtech | RECT ASSY -CT 16A 2KV STD | การสอบสวน |
|
S4KW6C-3D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 6KV 6A STD | การสอบสวน |
 |
S4K R7G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | การสอบสวน |
|
S4KW2C-1D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 2KV 8A STD | การสอบสวน |
|
S4KW4C-2D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 4KV 6A STD | การสอบสวน |
|
S4KW6C-3P | Semtech | RECT ASSY -+CT 12A 6KV STD | การสอบสวน |
|
S4KW4C-2P | Semtech | RECT ASSY -+CT 12A 4KV STD | การสอบสวน |
|
S4KW10C-5D | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE | การสอบสวน |
|
S4K V6G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | การสอบสวน |
|
S4KW10C-5P | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | การสอบสวน |
|
S4KW12C-6N | Semtech | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE | การสอบสวน |
|
S4K V7G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | การสอบสวน |
|
S4KW10C-5N | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | การสอบสวน |
|
S4KW12C-6D | Semtech | DIODE GEN PURP 12KV 6A MODULE | การสอบสวน |
|
S4K M6G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | การสอบสวน |
|
S4KW2C-1P | Semtech | RECT ASSY -+CT 16A 2KV STD | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง