S21ME6F พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S21ME6F เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S21ME6F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S21ME6F ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S21ME6F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S21ME6F
- ผู้ผลิต:
- Sharp Microelectronics
- ลักษณะ:
- OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59351 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S21ME6F.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เส้นผ่าศูนย์กลางของด้าม (mm): | Yes |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 600V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 5000Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 1.2V |
| เปิดเวลา: | 100µs (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 4-DIP |
| คงที่ dV / dt (ต่ำสุด): | 100V/µs |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภทขาออก: | Triac |
| ชื่ออื่น: | 425-1283-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 100°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด): | 100mA |
| ปัจจุบัน - LED Trigger (Ift) (สูงสุด): | 10mA |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih): | 3.5mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 50mA |
| ได้รับการอนุมัติ: | BSI, DEMKO, SEMKO, UR |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S21ME6F
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU