S-89431BCFM-H4DTFU พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S-89431BCFM-H4DTFU เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S-89431BCFM-H4DTFU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S-89431BCFM-H4DTFU ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S-89431BCFM-H4DTFU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S-89431BCFM-H4DTFU
- ผู้ผลิต:
- SII Semiconductor Corporation
- ลักษณะ:
- IC OP AMP CMOS 4.8KHZ 8-MTSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 49156 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S-89431BCFM-H4DTFU.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 0.9 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 3mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TMSOP |
| อัตราสลูว์: | 0.005 V/µs |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-WSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Rail-to-Rail |
| ชื่ออื่น: | 1662-2106-2 S-89431BCFM-H4DTFU-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| กำไร Bandwidth สินค้า: | 4.8kHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-TMSOP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 500nA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 6mA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 1pA |
| ประเภทเครื่องขยาย: | CMOS |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S-89431BCFM-H4DTFU
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด