S-5743NBL8A-M3T4U พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S-5743NBL8A-M3T4U เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S-5743NBL8A-M3T4U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S-5743NBL8A-M3T4U ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S-5743NBL8A-M3T4U
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S-5743NBL8A-M3T4U
- ผู้ผลิต:
- SII Semiconductor Corporation
- ลักษณะ:
- HIGHWITHSTAND VOLTAGE HIGH-SPEED
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55824 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S-5743NBL8A-M3T4U.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 26 V |
| ทดสอบสภาพ: | 25°C |
| เทคโนโลยี: | Hall Effect |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-3S |
| ชุด: | S-5743A |
| ช่วงการตรวจวัด: | 3.2mT Trip, -3.2mT Release |
| โพลาไรซ์: | Either |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ประเภทขาออก: | Open Drain |
| ชื่ออื่น: | 1662-3308-2 S-5743NBL8A-M3T4U-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ฟังก์ชัน: | Bipolar Switch |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Switch Bipolar Switch Open Drain Hall Effect SOT-23-3S |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 4mA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S-5743NBL8A-M3T4U
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น