S-13D1B3130-M6T1U3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ S-13D1B3130-M6T1U3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ S-13D1B3130-M6T1U3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ S-13D1B3130-M6T1U3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
S-13D1B3130-M6T1U3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- S-13D1B3130-M6T1U3
- ผู้ผลิต:
- SII Semiconductor Corporation
- ลักษณะ:
- IC REG LIN 3V/3.1V 150MA SOT23-6
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58926 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- S-13D1B3130-M6T1U3.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.13V @ 100mA, 0.13V @ 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 3V, 3.1V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 5.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-6 |
| ชุด: | S-13D1 |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Overcurrent, Thermal Shutdown |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-23-6 |
| PSRR: | 70dB (1kHz), 70dB (1kHz) |
| ประเภทขาออก: | Fixed |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 2 Output 3V, 3.1V 150mA SOT-23-6 |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 116µA |
| ปัจจุบัน - เงียบ (Iq): | 58µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 150mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ S-13D1B3130-M6T1U3
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025