RW0S6BBR020FET พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RW0S6BBR020FET เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RW0S6BBR020FET ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RW0S6BBR020FET ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RW0S6BBR020FET
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RW0S6BBR020FET
- ผู้ผลิต:
- Ohmite
- ลักษณะ:
- RES 0.02 OHM 1% 0.6W 2010
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45774 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RW0S6BBR020FET.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±90ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 2010 |
| ขนาด / มิติ: | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
| ชุด: | RW |
| โหมดแผง: | 20 mOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 0.6W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2010 (5025 Metric) |
| ชื่ออื่น: | RW0S6BBR020FETTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.140" (3.55mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 20 mOhms ±1% 0.6W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Current Sense Wirewound |
| ส่วนประกอบ: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RW0S6BBR020FET
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
RW0S6BBR015FET | Ohmite | RES 0.015 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BB7R50FET | Ohmite | RES SMD 7.5 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR030FET | Ohmite | RES 0.03 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
 |
RW0S6BBR020FE | Ohmite | RES 0.02 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR015FE | Ohmite | RES 0.015 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR030FE | Ohmite | RES 0.03 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BB5R00FE | Ohmite | RES SMD 5 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BB47R0FET | Ohmite | RES SMD 47 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR075FE | Ohmite | RES 0.075 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR240FE | Ohmite | RES 0.24 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR100FE | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR050FET | Ohmite | RES 0.05 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR075FET | Ohmite | RES 0.075 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR240FET | Ohmite | RES 0.24 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BB5R00FET | Ohmite | RES SMD 5 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR010FET | Ohmite | RES 0.01 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BB7R50FE | Ohmite | RES SMD 7.5 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR100FET | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR050FE | Ohmite | RES 0.05 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
|
RW0S6BBR010FE | Ohmite | RES 0.01 OHM 1% 0.6W 2010 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่