RVS-6V470ME55U-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RVS-6V470ME55U-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RVS-6V470ME55U-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RVS-6V470ME55U-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RVS-6V470ME55U-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RVS-6V470ME55U-R
- ผู้ผลิต:
- Elna America
- ลักษณะ:
- CAP ALUM
- ปริมาณสต็อค:
- 24559 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RVS-6V470ME55U-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 6.3V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| ชุด: | RVS |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 36mA @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 45mA @ 100kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can - SMD |
| ชื่ออื่น: | 604-1267 RVS-6V470ME55U-R-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 1000 Hrs @ 105°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.217" (5.50mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 11 Ohm @ 120Hz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 47µF 6.3V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 11 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C |
| ปริมาตร: | 47µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RVS-6V470ME55U-R
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?