RNCS1206BKE43K2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RNCS1206BKE43K2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RNCS1206BKE43K2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RNCS1206BKE43K2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RNCS1206BKE43K2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RNCS1206BKE43K2
- ผู้ผลิต:
- Stackpole Electronics, Inc.
- ลักษณะ:
- RES 43.2K OHM 0.1% 1/8W 1206
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59538 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.RNCS1206BKE43K2.pdf2.RNCS1206BKE43K2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±0.1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±25ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1206 |
| ขนาด / มิติ: | 0.120" L x 0.061" W (3.05mm x 1.55mm) |
| ชุด: | RNCS |
| โหมดแผง: | 43.2 kOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 0.125W, 1/8W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | RNCS 32 T9 43.2K 0.1% I RNCS32T943.2K0.1%I RNCS32T943.2K0.1%I-ND RNCS32T943.2KBI RNCS32T943.2KBI-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 155°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.026" (0.65mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 43.2 kOhms ±0.1% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant Thin Film |
| ส่วนประกอบ: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RNCS1206BKE43K2
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS