RN2104ACT(TPL3)
RN2104ACT(TPL3)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RN2104ACT(TPL3)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
43325 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
RN2104ACT(TPL3).pdf

บทนำ

RN2104ACT(TPL3) พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RN2104ACT(TPL3) เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RN2104ACT(TPL3) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RN2104ACT(TPL3) ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
ประเภททรานซิสเตอร์:PNP - Pre-Biased
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:CST3
ชุด:-
ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2):47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):47 kOhms
เพาเวอร์ - แม็กซ์:100mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-101, SOT-883
ชื่ออื่น:RN2104ACT(TPL3)TR
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:80 @ 10mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):80mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest