RN202-1-02 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RN202-1-02 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RN202-1-02 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RN202-1-02 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RN202-1-02
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RN202-1-02
- ผู้ผลิต:
- Schaffner EMC, Inc.
- ลักษณะ:
- COMMON MODE CHOKE 3MH 1A 2LN TH
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48222 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RN202-1-02.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | - |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | 250V |
| ขนาด / มิติ: | 0.717" L x 0.346" W (18.20mm x 8.80mm) |
| ชุด: | RN |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Vertical, 4 PC Pin |
| ชื่ออื่น: | -RN 202 1 /02 290-176 800450 817-1559 RN202102 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนสาย: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความเหนี่ยวนำความถี่: | 3mH @ 10kHz |
| ความสูง (สูงสุด): | 0.543" (13.80mm) |
| ประเภทตัวกรอง: | Power Line |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A (Typ) DCR 205 mOhm (Typ) |
| ความต้านทานกระแสไฟตรง (DCR) (สูงสุด): | 205 mOhm (Typ) |
| บัตรหนา (mm): | 1A (Typ) |
| ได้รับการอนุมัติ: | UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RN202-1-02
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร