RBD-25V100KE3#N พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RBD-25V100KE3#N เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RBD-25V100KE3#N ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RBD-25V100KE3#N ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RBD-25V100KE3#N
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RBD-25V100KE3#N
- ผู้ผลิต:
- Elna America
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 10UF 20% 25V THRU HOLE
- ปริมาณสต็อค:
- 30607 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RBD-25V100KE3#N.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 25V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| ชุด: | RBD |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 40mA @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 68mA @ 100kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Bi-Polar |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can |
| ชื่ออื่น: | 604-1255 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 2000 Hrs @ 85°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.079" (2.00mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.492" (12.50mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 10µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C |
| ปริมาตร: | 10µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Audio |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RBD-25V100KE3#N
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU