RB421D-TP พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RB421D-TP เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RB421D-TP ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RB421D-TP ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RB421D-TP
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RB421D-TP
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 57326 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RB421D-TP.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 550mV @ 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 40V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23 |
| ความเร็ว: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 125°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Schottky |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Schottky 40V 100mA Surface Mount SOT-23 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 30µA @ 10V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 100mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 6pF @ 10V, 1MHz |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | RB421D |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RB421D-TP
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU