R6220855ESOO พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ R6220855ESOO เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ R6220855ESOO ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ R6220855ESOO ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
R6220855ESOO
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- R6220855ESOO
- ผู้ผลิต:
- Powerex, Inc.
- ลักษณะ:
- DIODE GP 800V 550A DO200AA R62
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 24503 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- R6220855ESOO.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.5V @ 800A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 800V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-200AA, R62 |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 2µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-200AA, A-PUK |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 800V 550A Chassis Mount DO-200AA, R62 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50mA @ 800V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 550A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ R6220855ESOO
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
R6221040HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6221455ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.4KV 550A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6221055ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 550A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220255ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 550A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220830PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6221240HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220440HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220655ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 550A DO200AA | การสอบสวน |
|
R6221255ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 550A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220240HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220630PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 600V 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6221030PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220840HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220640HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 600V 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220455ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 550A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220430PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
 |
R6221640ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO200 | การสอบสวน |
|
R6221440HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.4KV 400A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6220230PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
|
R6221230PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 300A DO200AA R62 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด