R5110415XXWA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ R5110415XXWA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ R5110415XXWA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ R5110415XXWA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
R5110415XXWA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- R5110415XXWA
- ผู้ผลิต:
- Powerex, Inc.
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58862 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- R5110415XXWA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.4V @ 470A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 400V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-205AA (DO-8) |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 7µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-205AA, DO-8, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -65°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 400V 150A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 30mA @ 400V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 150A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ R5110415XXWA
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
R5110215XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5100210XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5100615XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5100215XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5100415XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5111010XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | การสอบสวน |
|
R5100610XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5110410XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5100810XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5101015XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205 | การสอบสวน |
|
R5110810XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5110615XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5110610XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5111015XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205 | การสอบสวน |
|
R5100410XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5101010XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | การสอบสวน |
|
R5110210XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | การสอบสวน |
 |
CMOSH-4E TR | Central Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 | การสอบสวน |
|
R5100815XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5110815XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด