R5031210RSWA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ R5031210RSWA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ R5031210RSWA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ R5031210RSWA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
R5031210RSWA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- R5031210RSWA
- ผู้ผลิต:
- Powerex, Inc.
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 26501 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- R5031210RSWA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 2.7V @ 100A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1200V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-205AA (DO-8) |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 300ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-205AA, DO-8, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 1200V 100A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 45mA @ 1200V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 100A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ R5031210RSWA
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
R5031218FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 175A DO205 | การสอบสวน |
|
R5031013LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 125A DO205 | การสอบสวน |
 |
R5040PF | Microsemi | RECTIFIER | การสอบสวน |
|
R5031210RSZT | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP | การสอบสวน |
|
R5030618FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 175A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5031018FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 175A DO205 | การสอบสวน |
|
R5031418FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 175A DO205 | การสอบสวน |
|
R5030610RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5060PF | Microsemi | RECTIFIER | การสอบสวน |
|
R5030810RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5030813LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 125A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5080PF | Microsemi | RECTIFIER | การสอบสวน |
|
R5031613FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 125A DO205 | การสอบสวน |
|
R5031213LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 125A DO205 | การสอบสวน |
|
R5030818FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 175A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5031413LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205 | การสอบสวน |
|
R5030413LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5030613LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5030418FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA | การสอบสวน |
|
R5031010RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่