R10-E1M4-V2.5K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ R10-E1M4-V2.5K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ R10-E1M4-V2.5K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ R10-E1M4-V2.5K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
R10-E1M4-V2.5K
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- R10-E1M4-V2.5K
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 48V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 20632 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- R10-E1M4-V2.5K.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 36 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | - |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Plug In |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 120VAC, 30VDC - Max |
| ชุด: | R10 |
| ประเภท Relay: | General Purpose |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | 5-1393765-9 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 75°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Socketable |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 23 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 48VDC Coil Socketable |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 5A |
| วัสดุของ: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | 4PDT (4 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 48VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 2.5 kOhms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 900 mW |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 19.2mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ R10-E1M4-V2.5K
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร