QXP2E473JRP7FL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ QXP2E473JRP7FL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ QXP2E473JRP7FL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ QXP2E473JRP7FL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
QXP2E473JRP7FL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- QXP2E473JRP7FL
- ผู้ผลิต:
- Nichicon
- ลักษณะ:
- CAP FILM 0.047UF 5% 250VDC RAD
- ปริมาณสต็อค:
- 31018 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.QXP2E473JRP7FL.pdf2.QXP2E473JRP7FL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 250V |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | 125V |
| ความอดทน: | ±5% |
| การสิ้นสุด: | PC Pins |
| ขนาด / มิติ: | 0.630" L x 0.220" W (16.00mm x 5.60mm) |
| ชุด: | QXP |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.492" (12.50mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.614" (15.60mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| วัสดุอิเล็กทริก: | Polypropylene (PP), Metallized |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 0.047µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| ปริมาตร: | 0.047µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | High Frequency, Switching |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ QXP2E473JRP7FL
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
QXP2E334KRP7FP | Nichicon | CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E473KRP7FL | Nichicon | CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E474JRP7FP | Nichicon | CAP FILM 0.47UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E335KRP7FX | Nichicon | CAP FILM 3.3UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E334JRP7FP | Nichicon | CAP FILM 0.33UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
QXP2E334KRPT | Nichicon | CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
QXP2E225KRPT | Nichicon | CAP FILM 2.2UF 10% 250VDC RADIAL | การสอบสวน |
|
QXP2E334JRPT | Nichicon | CAP FILM 0.33UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E474KRP7FP | Nichicon | CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E225KRP7FX | Nichicon | CAP FILM 2.2UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
QXP2E335KRPT | Nichicon | CAP FILM 3.3UF 10% 250VDC RADIAL | การสอบสวน |
 |
QXP2E474KRPT | Nichicon | CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
QXP2E473KRPT | Nichicon | CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E473JRPT | Nichicon | CAP FILM 0.047UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E474JRPT | Nichicon | CAP FILM 0.47UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E335JRP7FX | Nichicon | CAP FILM 3.3UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E683JRP7FL | Nichicon | CAP FILM 0.068UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E683JRPT | Nichicon | CAP FILM 0.068UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E335JRPT | Nichicon | CAP FILM 3.3UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
QXP2E683KRP7FL | Nichicon | CAP FILM 0.068UF 10% 250VDC RAD | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่