QBDW033A0B41-HZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ QBDW033A0B41-HZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ QBDW033A0B41-HZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ QBDW033A0B41-HZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
QBDW033A0B41-HZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- QBDW033A0B41-HZ
- ผู้ผลิต:
- GE Critical Power
- ลักษณะ:
- DC DC CONVERTER 12V 396W
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 24146 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- QBDW033A0B41-HZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 3: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก 2: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 1: | 12V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 2.25kV |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - (ต่ำสุด): | 36V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 75V |
| ชนิด: | Intermediate Bus Converter, Digital |
| ขนาด / มิติ: | 2.30" L x 1.45" W x 0.50" H (58.4mm x 36.8mm x 12.6mm) |
| ชุด: | Barracuda™ QBDW033A0B |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 396W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP Module, 1/4 Brick |
| ชื่ออื่น: | 109163300 555-1271 CC109163300 QBDW033A0B41HZ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนขาออก: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO |
| อย่างมีประสิทธิภาพ: | 95.3% |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Intermediate Bus Converter, Digital DC DC Converter 1 Output 12V 33A 36V - 75V Input |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 33A |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable, Active Low |
| การประยุกต์ใช้งาน: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ QBDW033A0B41-HZ
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025