PTF65500R00AZBF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PTF65500R00AZBF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PTF65500R00AZBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PTF65500R00AZBF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PTF65500R00AZBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PTF65500R00AZBF
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES 500 OHM 1/4W 0.05% AXIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 33995 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.25W, 1/4W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Axial |
| ความหนา (สูงสุด): | ±5ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.145" Dia x 0.375" L (3.68mm x 9.53mm) |
| ชุด: | PTF |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PTF65500R00AZBF |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 500 Ohm ±0.05% 0.25W, 1/4W Through Hole Resistor Axial Moisture Resistant Metal Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.05% |
| ลักษณะ: | RES 500 OHM 1/4W 0.05% AXIAL |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Film |
| แบนด์วิดธ์: | 500 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PTF65500R00AZBF
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC