PN3643_J61Z พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PN3643_J61Z เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PN3643_J61Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PN3643_J61Z ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PN3643_J61Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PN3643_J61Z
- ผู้ผลิต:
- Fairchild/ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- TRANS NPN 30V 0.5A TO-92
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55509 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PN3643_J61Z.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 500mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-92-3 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 30V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 625mW |
| โพลาไรซ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PN3643_J61Z |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 100 @ 150mA, 10V |
| ขยายคำอธิบาย: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3 |
| ลักษณะ: | TRANS NPN 30V 0.5A TO-92 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 50nA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 220mV @ 15mA, 150mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | NPN |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PN3643_J61Z
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร