PMZB150UNEYL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PMZB150UNEYL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PMZB150UNEYL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PMZB150UNEYL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PMZB150UNEYL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PMZB150UNEYL
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 20V SOT883
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28262 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PMZB150UNEYL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±8V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DFN1006B-3 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 3-XFDFN |
| ชื่ออื่น: | 1727-2326-6 568-12612-6 568-12612-6-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 93pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 20V 1.5A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PMZB150UNEYL
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PMZB290UNE2YL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | การสอบสวน |
 |
PMZ420UNYL | Nexperia | MOSFET N-CH | การสอบสวน |
|
PMZB200UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | การสอบสวน |
|
PMZB370UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 | การสอบสวน |
|
PMZB320UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | การสอบสวน |
 |
PMZ950UPELYL | Nexperia | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | การสอบสวน |
|
PMZ550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | การสอบสวน |
|
PMZB390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 | การสอบสวน |
|
PMZ390UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 | การสอบสวน |
|
PMZ600UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 0.6A | การสอบสวน |
|
PMZB290UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | การสอบสวน |
|
PMZB1200UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | การสอบสวน |
|
PMZB300XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | การสอบสวน |
|
PMZ390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 | การสอบสวน |
|
PMZ600UNELYL | Nexperia | 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | การสอบสวน |
|
PMZB350UPE,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN | การสอบสวน |
|
PMZB290UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | การสอบสวน |
|
PMZ760SN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 | การสอบสวน |
|
PMZ950UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 | การสอบสวน |
|
PMZB380XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง