PI5A3157BZUE+DMX พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PI5A3157BZUE+DMX เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PI5A3157BZUE+DMX ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PI5A3157BZUE+DMX ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PI5A3157BZUE+DMX
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PI5A3157BZUE+DMX
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- IC SWITCH SPDT 6-UDFN
- ปริมาณสต็อค:
- 42161 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PI5A3157BZUE+DMX.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | - |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 5.2ns, 3.5ns |
| วงจรสวิตช์: | SPDT |
| ชุด: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 13 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 2:1 |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1 Circuit IC Switch 2:1 13 Ohm |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | 100nA |
| crosstalk: | -54dB @ 10MHz |
| Charge Injection: | 7pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 150 mOhm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 2.3pF |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 250MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PI5A3157BZUE+DMX
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์