PHE426HJ6150JR05 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PHE426HJ6150JR05 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PHE426HJ6150JR05 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PHE426HJ6150JR05 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PHE426HJ6150JR05
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PHE426HJ6150JR05
- ผู้ผลิต:
- KEMET
- ลักษณะ:
- CAP FILM 0.15UF 5% 250VDC RAD
- ปริมาณสต็อค:
- 58170 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PHE426HJ6150JR05.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 250V |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | 160V |
| ความอดทน: | ±5% |
| การสิ้นสุด: | PC Pins |
| ขนาด / มิติ: | 0.283" L x 0.283" W (7.20mm x 7.20mm) |
| ชุด: | PHE426 |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| ชื่ออื่น: | F426JU154J250C |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.197" (5.00mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.512" (13.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| วัสดุอิเล็กทริก: | Polypropylene (PP), Metallized |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 0.15µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| ปริมาตร: | 0.15µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PHE426HJ6150JR05
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PHE426KD7150JR06L2 | KEMET | CAP FILM 1.5UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KD6390JR06L2 | KEMET | CAP FILM 0.39UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426HJ5330JR17TA | KEMET | CAP FILM 0.033UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KA5560JR05 | KEMET | CAP FILM 0.056UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KF7330JR06L2 | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KA5330JR05 | KEMET | CAP FILM 0.033UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426HD7150JR06L2 | KEMET | CAP FILM 1.5UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426HF7330JR06L2 | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KA5220JR05 | KEMET | CAP FILM 0.022UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
 |
PHE426HD7100JR06L2 | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 250VDC RADIAL | การสอบสวน |
|
PHE426HK5470JR05 | KEMET | CAP FILM 0.047UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426HF7220JR06L2 | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
PHE426HJ6100JR05 | KEMET | CAP FILM 0.1UF 5% 250VDC RADIAL | การสอบสวน |
|
PHE426HJ5220JR17T0 | KEMET | CAP FILM 0.022UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KA5470JR05 | KEMET | CAP FILM 0.047UF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
 |
PHE426KF7220JR06L2 | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 400VDC RADIAL | การสอบสวน |
|
PHE426HF7820JR06L2 | KEMET | CAP FILM 8.2UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426KJ4150JR05 | KEMET | CAP FILM 1500PF 5% 400VDC RAD | การสอบสวน |
|
PHE426HD7220JR06L2 | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 250VDC RAD | การสอบสวน |
 |
PHE426HF7470JR06L2 | KEMET | CAP FILM 4.7UF 5% 250VDC RADIAL | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่