PEMI8QFN/RG,132 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PEMI8QFN/RG,132 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PEMI8QFN/RG,132 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PEMI8QFN/RG,132 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PEMI8QFN/RG,132
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PEMI8QFN/RG,132
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- FILTER RC(PI) 100 OHM/11PF SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36686 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PEMI8QFN/RG,132.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | - |
| ค่า: | R = 100 Ohms, C = 11pF (Total) |
| ชนิด: | Low Pass |
| เทคโนโลยี: | RC (Pi) |
| ขนาด / มิติ: | 0.130" L x 0.047" W (3.30mm x 1.20mm) |
| ชุด: | PEMIxQFN |
| ต้านทาน - Channel (โอห์ม): | 100 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-XFDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 568-10715-2 934064905132 PEMI8QFN/RG,132-ND PEMI8QFNRG132 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 8 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง: | 0.020" (0.50mm) |
| ลำดับตัวกรอง: | 2nd |
| ป้องกัน ESD: | Yes |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 100 Ohms, C = 11pF (Total) 16-XFDFN Exposed Pad |
| ศูนย์ / ลัดความถี่: | - |
| ราคาลดทอน: | 15dB @ 800MHz ~ 3GHz |
| การประยุกต์ใช้งาน: | LAN, PCS, WAN |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PEMI8QFN/RG,132
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร