PBT-RP100SN1SS0ALA0Z พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PBT-RP100SN1SS0ALA0Z เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PBT-RP100SN1SS0ALA0Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PBT-RP100SN1SS0ALA0Z ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PBT-RP100SN1SS0ALA0Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PBT-RP100SN1SS0ALA0Z
- ผู้ผลิต:
- SICK
- ลักษณะ:
- PRESSURE TRANS 0-100 PSI
- ปริมาณสต็อค:
- 28788 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PBT-RP100SN1SS0ALA0Z.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 8 V ~ 35 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Connector |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | - |
| ประเภทแรงดัน: | Gauge |
| สไตล์พอร์ต: | Threaded |
| ท่าเรือขนาด: | Female - 1/4" (6.35mm) NPT |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylinder |
| ประเภทขาออก: | Analog Current |
| เอาท์พุต: | 4 mA ~ 20 mA |
| ชื่ออื่น: | 1882-1346 6048159 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 80°C |
| ความดันสูงสุด: | - |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 3 Weeks |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder |
| ความถูกต้อง: | 1% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PBT-RP100SN1SS0ALA0Z
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่