PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G
- ผู้ผลิต:
- SICK
- ลักษณะ:
- SEN PRESS 0-2000 PSI
- ปริมาณสต็อค:
- 49552 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 15 V ~ 35 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Connector |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | - |
| ประเภทแรงดัน: | Gauge |
| สไตล์พอร์ต: | Threaded |
| ท่าเรือขนาด: | Female - 1/4" (6.35mm) NPT |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ประเภทขาออก: | Analog Voltage, PNP |
| เอาท์พุต: | 0 V ~ 10 V |
| ชื่ออื่น: | 6050827 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 85°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | 1999.9 PSI (13789 kPa) |
| ความดันสูงสุด: | - |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 3 Weeks |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor 1999.9 PSI (13789 kPa) Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 10 V Module |
| ความถูกต้อง: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PBS-RP2K0SN1SS0CMA0G
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์