PA4334.104NLT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PA4334.104NLT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PA4334.104NLT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PA4334.104NLT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PA4334.104NLT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PA4334.104NLT
- ผู้ผลิต:
- Pulse Electronics Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 100UH 210MA 3.718 OHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30220 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PA4334.104NLT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | Wirewound |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
| ชุด: | PA4334 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 553-3303-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PA4334.104NLT |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.047" (1.20mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 100µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 5MHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 3.718 Ohm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 100µH Shielded Wirewound Inductor 210mA 3.718 Ohm Max Nonstandard |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | - |
| ลักษณะ: | FIXED IND 100UH 210MA 3.718 OHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 1MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 210mA |
| พิกัดกระแส: | 210mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Iron |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PA4334.104NLT
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU