PA-848-352R-R2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PA-848-352R-R2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PA-848-352R-R2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PA-848-352R-R2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PA-848-352R-R2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PA-848-352R-R2
- ผู้ผลิต:
- Copal Electronics
- ลักษณะ:
- PRESSURE TRANSDUCER DIFFERENTIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36502 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PA-848-352R-R2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 21.6 V ~ 26.4 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Cable |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | PA-848 |
| ประเภทแรงดัน: | Compound |
| สไตล์พอร์ต: | Threaded |
| ท่าเรือขนาด: | Male - M5, Male - 1/4" (6.35mm) NPT |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ประเภทขาออก: | Analog Current |
| เอาท์พุต: | 4 mA ~ 20 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 100°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | -14.5 ~ 50.76 PSI (-100 ~ 350 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | 101.53 PSI (700 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor -14.5 ~ 50.76 PSI (-100 ~ 350 kPa) Compound Male - M5, Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Module |
| ความถูกต้อง: | ±0.5% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PA-848-352R-R2
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU