P25C42D23C1-12 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ P25C42D23C1-12 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ P25C42D23C1-12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ P25C42D23C1-12 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
P25C42D23C1-12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- P25C42D23C1-12
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY CONTACTOR 3PST 25A 12V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53492 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- P25C42D23C1-12.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 9 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | - |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Screw Terminal, Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 600VAC - Max |
| ชุด: | P25 |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | 1423912-5 P25C42D23D1-12 P25C42D23D1-12-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 55°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 17 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 25A |
| วัสดุของ: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | 3PST-NO (DM) (3 Form X) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 12VDC |
| ความต้านทานของคอยล์: | 34 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 8 W |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 353mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ P25C42D23C1-12
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร