P1J-12.5MB-AX16PA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ P1J-12.5MB-AX16PA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ P1J-12.5MB-AX16PA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ P1J-12.5MB-AX16PA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
P1J-12.5MB-AX16PA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- P1J-12.5MB-AX16PA
- ลักษณะ:
- SENSOR PRESS 0-12.5 MBAR I2C
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50535 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- P1J-12.5MB-AX16PA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | P1J |
| ประเภทแรงดัน: | Differential |
| สไตล์พอร์ต: | Barbed |
| ท่าเรือขนาด: | Male - 0.08" (1.92mm) Tube, Dual |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP Module |
| ประเภทขาออก: | Digital - I²C |
| เอาท์พุต: | 14 b |
| ชื่ออื่น: | 1861-1092 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 85°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | 0 ~ 0.18 PSI (0 ~ 1.25 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | 1.02 PSI (7 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor 0 ~ 0.18 PSI (0 ~ 1.25 kPa) Differential Male - 0.08" (1.92mm) Tube, Dual 14 b 8-DIP Module |
| ความถูกต้อง: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ P1J-12.5MB-AX16PA
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น