OPA3690IDBQT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ OPA3690IDBQT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ OPA3690IDBQT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ OPA3690IDBQT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
OPA3690IDBQT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- OPA3690IDBQT
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC OPAMP VFB 300MHZ 16SSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47170 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- OPA3690IDBQT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 5 V ~ 12 V, ±2.5 V ~ 6 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 1mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SSOP |
| อัตราสลูว์: | 1800 V/µs |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทขาออก: | - |
| ชื่ออื่น: | 296-36957-2 OPA3690IDBQTG4 OPA3690IDBQTG4-ND OPA3690IDBQTTR OPA3690IDBQTTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| กำไร Bandwidth สินค้า: | 300MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Feedback Amplifier 3 Circuit 16-SSOP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 16.5mA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 190mA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 5µA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | OPA3690 |
| ประเภทเครื่องขยาย: | Voltage Feedback |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 500MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ OPA3690IDBQT
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด